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公司动态

SI2308BDS-T1-GE3分立半导体 晶体管

    产品属性属性值搜索类似

    制造商:Vishay

    产品种类:MOSFET

    RoHS: 详细信息

    技术:Si

    安装风格:SMD/SMT

    封装 / 箱体:SOT-23-3

    通道数量:1 Channel

    晶体管极性:N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:60 V

    Id-连续漏极电流:2.3 A

    Rds On-漏源导通电阻:156 mOhms

    Vgs - 栅极-源极电压:10 V

    Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

    Qg-栅极电荷:6.8 nC

    最小工作温度:- 55 C

    最大工作温度:+ 150 C

    Pd-功率耗散:1.66 W

    配置:Single

    通道模式:Enhancement

    商标名:TrenchFET

    封装:Cut Tape

    封装:MouseReel

    封装:Reel

    系列:SI2

    晶体管类型:1 N-Channel

    商标:Vishay Semiconductors

    正向跨导 - 最小值:5 S

    下降时间:7 ns

    产品类型:MOSFET

    上升时间:10 ns

    工厂包装数量:3000

    子类别:MOSFETs

    典型关闭延迟时间:10 ns

    典型接通延迟时间:4 ns

    零件号别名:SI2308BDS-GE3

    单位重量:8 mg

[发布时间:2020/5/20 15:32:00]

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